LS8526C 是无锡曜硅推出的高集成副边同步整流功率开关，内置65V/8mΩ 超低导通阻抗 MOSFET，可直接替代肖特基二极管，大幅降低整流损耗、提升电源效率、减少温升。芯片支持 DCM/QR/CCM 全模式，兼容浮地 / 共地拓扑，内置高压自供电，无需辅助绕组，外围极简，是大功率 PD 快充、适配器、反激电源的高效升级优选。
产品简介
LS8526C 专为反激变换器副边设计，自动检测整流时序并驱动内置 MOS 管，实现纳秒级精准开关。支持浮地 / 共地双架构，兼容DCM/QR/CCM全工况模式。内置高压供电模块，省去辅助绕组；具备前沿消隐（LEB）、VCC 欠压保护，抗干扰强、不误触发。采用SOP8 标准封装，适配大功率快充、工业适配器等高可靠性场景。
核心特性
反激副边同步整流，替代肖特基二极管，效率显著提升
内置65V/8mΩ 低阻 MOSFET，导通损耗低、温升更小
支持DCM / QR / CCM三种工作模式，全工况兼容
支持浮地 / 共地两种同步整流拓扑
内置高压供电模块，无需辅助绕组供电
低静态电流，满足六级能效标准
内置前沿消隐（LEB），防误动作、稳定性高
完备保护：VCC 欠压保护、过温、短路防护
SOP8 标准封装，布板灵活、适合自动化生产
典型应用
PD 快充、大功率旅行充电器、笔记本适配器
高效率 AC-DC 反激电源、LED 驱动电源
工业适配器、机顶盒 / 路由器 / 网关辅助电源
线性 / RCC 电源升级换代高效方案
封装与引脚说明
LS8526C 采用SOP8 封装：1/2/3. GND 芯片地；4. VCC 芯片电源；5/6/7/8. SW 内置 MOS 漏极
供货与技术支持
粤华信科技获无锡曜硅官方认证，具备一级代理资质，可提供 LS8526C 原厂正品、稳定现货、规格书、典型应用电路及一站式技术支持，助力客户快速完成设计与量产。
