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无锡曜硅 LS8524D:高性能副边同步整流功率开关

作者:handler浏览量:11 次时间:2026-05-20 11:45

LS8524D 是无锡曜硅推出的副边同步整流功率开关芯片,内置40V/8mΩ 超低导通阻抗 MOSFET,可直接替代肖特基二极管,大幅提升电源效率、降低温升。芯片支持 DCM/QR 双模式,兼容浮地 / 共地拓扑,内置高压自供电模块,无需辅助绕组,外围极简,是小功率适配器、充电器高效率升级的理想方案。

产品简介

LS8524D 专为反激变换器副边设计,自动检测整流时序并驱动内置 MOS 管,显著降低导通损耗。支持浮地与共地两种同步整流结构,兼容DCM/QR工作模式。内置高压供电模块,省去辅助绕组供电;具备欠压保护与前沿消隐(LEB),抗干扰强、工作稳定,采用SOP8 封装,适配各类小体积充电器与适配器。

核心特性

  • 反激副边同步整流,替代肖特基二极管,效率显著提升

  • 内置40V/8mΩ 低阻 MOSFET,导通损耗低、温升小

  • 支持DCM + QR双模式,全工况兼容

  • 支持浮地 / 共地两种同步整流拓扑

  • 内置高压供电模块,无需辅助绕组供电

  • 低静态电流,损耗更低、满足高能效要求

  • 内置前沿消隐(LEB),防误动作、可靠性高

  • 内置 VCC 欠压保护(UVLO),安全稳定

  • SOP8 标准封装,布板灵活、适合自动化生产

典型应用

  • 手机 / 蓝牙耳机 / 手环小功率充电器

  • 5V/9V/12V 电源适配器、小功率开关电源

  • 高效率反激变换器、LED 驱动电源

  • 线性 / RCC 电源升级换代方案

封装与引脚说明

LS8524D 采用SOP8 封装:1/2/3. GND 芯片地;4. VCC 芯片电源;5/6/7/8. SW 内置 MOS 漏极

供货与技术支持

粤华信科技获无锡曜硅官方认证,具备一级代理资质,可提供 LS8524D 原厂正品、稳定现货、规格书、典型应用电路及一站式技术支持,助力客户快速完成设计与量产。

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