LS8126J 是无锡曜硅推出的高集成原边反馈（PSR）电源控制芯片，内置650V 高压 MOSFET，工作于 QR 准谐振模式，无需副边光耦与 TL431，即可实现 ±5% 高精度 CV/CC 输出，集成可调线损补偿、软启动与全面保护，专为充电器、适配器、LED 驱动设计，外围极简、体积小、可靠性高。
产品简介
芯片采用原边采样反馈架构，具备可调线损补偿，空满载电压曲线更平滑；内置前沿消隐（LEB）防止过流误动作；支持软启动、逐周期限流、输出短路 / 过压、VDD 过压 / 欠压 / 钳位、管脚开路等多重保护，采用ESOP6 小型封装，适合小体积高效率隔离电源方案。
核心特性
内置650V 高压 MOSFET，集成度高、省空间、降成本
原边反馈 QR 准谐振，无需光耦、无需 TL431
±5% 恒压 + 恒流精度，输出一致性好
可调线损补偿，优化长线带载电压跌落
前沿消隐（LEB），有效避免 OCP 误触发
软启动功能，降低开机应力，提升可靠性
完备保护：输出短路 / 过压、逐周期 OCP、VDD OVP/UVLO/ 钳位、管脚开路保护
低启动电流，高效低损耗，适合小功率适配器
ESOP6 封装，适合高密度贴片生产
典型应用
手机、蓝牙耳机、手环、数码产品充电器
5V/9V/12V 电源适配器、小功率开关电源
LED 照明驱动、恒压恒流供电模块
机顶盒、路由器、小家电辅助电源
RCC / 线性电源升级换代高效方案
封装与引脚说明
LS8126J 采用ESOP6 封装：
GND 地；2. VDD 芯片电源；3. FB 输出电压反馈；4. CC 恒流设置；5. CS 峰值电流检测；6. D 内置 MOS 漏极
供货与技术支持
粤华信科技获无锡曜硅官方认证，具备一级代理资质，可提供 LS8126J 原厂正品、稳定现货、规格书、典型应用电路及一站式技术支持，助力客户快速完成设计与量产。
