粤华信科技获无锡曜硅官方认证，具备一级代理资质，为客户提供原厂正品、稳定现货及全流程技术支持，助力低压大电流方案快速落地量产。
LS30N087AJ 采用先进沟槽工艺，是一款30V/18A 低内阻 N 沟道 MOSFET，具备超低导通电阻、低栅电荷、快速开关特性，PDFN3.3×3.3 封装散热优异，广泛用于负载开关、PWM 控制、电源管理等低压大电流场景。
核心产品优势
超低内阻，高效低耗
VGS=10V 下 RDS (ON) 典型值8.7mΩ，VGS=4.5V 仍低至 12.7mΩ，导通损耗极低，温升更小。
大电流承载
持续漏极电流18A，脉冲电流72A，满足大电流负载与瞬态冲击需求。
快速开关，高频友好
栅电荷低、开关速度快，适合高频 PWM 应用，系统效率更高。
小型高散热封装
PDFN3.3×3.3-8L 封装，体积小、布线灵活，散热能力强，适合高密度板级设计。
宽温稳定可靠
工作温度 - 55℃~+150℃，雪崩能量测试合格，工业与消费场景均稳定。
关键电气参数
漏源耐压：30V
持续电流：18A@25℃
导通电阻：8.7mΩ@10V,10A
总栅电荷：16nC
封装：PDFN3.3×3.3-8L
工作结温：-55℃~+150℃
典型应用
负载开关 / 电源路径管理
电池供电设备、快充 / 移动电源
服务器 / 笔记本 / 平板供电模块
电机驱动、风扇控制
各类 PWM 调压、DC-DC 功率转换
工业控制、安防、智能家居低压供电
封装与尺寸
技术支持与供货保障
粤华信科技获无锡曜硅官方认证，具备一级代理资质，提供 LS30N087AJ 原厂正品、稳定现货、参考设计、PCB 布局优化及批量技术支持，保障研发到量产全程高效无忧。
