无锡曜硅 LS16N65 是一款650V 高压、16A 大电流N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借快速开关、低损耗、高雪崩耐量、强 dv/dt 鲁棒性，专为中高压功率转换场景打造，广泛用于开关电源、PFC、LED 驱动、工业控制等领域，兼顾高效率、高可靠与高性价比，助力电源产品快速量产升级。
一、核心产品优势
1. 高压大电流，安全裕量充足
漏源耐压VDS=650V，持续漏极电流ID=16A，脉冲电流IDM=64A
完美适配 85–265V 全电压输入电源，抗浪涌、抗电压尖峰能力突出
2. 快速开关，高效低损耗
开关速度快，栅电荷低（Qg 典型 55nC），开关损耗显著降低
优化 dv/dt 耐受能力，高频工况稳定，整机效率更高、温升更低
3. 高可靠设计，耐用性强
全系列通过雪崩能量测试，抗应力、抗冲击性能优异
高输入阻抗、低电平驱动，易与 PWM 控制器匹配
结 - 壳热阻低，长期满载运行稳定可靠
4. 通用封装，量产友好
采用TO-220F 绝缘封装，布线简单、散热优良、安规易过
符合 RoHS 环保标准，满足国内外市场准入要求
二、关键电气参数（Tc=25℃）
| 参数 | 典型值 | 测试条件 |
|---|---|---|
| 漏源击穿电压 BV DSS | 650V | I D =250μA, V GS =0V |
| 持续漏极电流 I D | 16A | — |
| 脉冲漏极电流 I DM | 64A | 单脉冲 |
| 导通电阻 R DS (on) | 0.52Ω | V GS =10V, I D =8A |
| 总栅电荷 Q g | 55nC | V DS =520V, V GS =0–10V |
| 工作结温 | -40℃ ~ +150℃ | — |
| 封装 | TO-220F | 绝缘封装 |
三、典型应用场景
无锡曜硅 LS16N65 广泛适配以下中高压功率设备：
高效率开关电源：适配器、PC/TV 电源、工业 AC-DC 模块、快充电源
功率因数校正（PFC）电路：服务器电源、大功率适配器
照明驱动：电子镇流器、LED 路灯 / 面板灯恒流驱动
工业控制：家电电源、UPS、小型变频器、焊机辅助电源
新能源领域：光伏微型逆变器、户用 MPPT、储能辅助电源
四、供货与技术支持
无锡曜硅 LS16N65 方案成熟、性能稳定、性价比突出，可有效提升电源效率与可靠性。
无锡曜硅授权粤华信代理资质，粤华信可提供原厂正品保障、稳定现货交付、原理图 / PCB 参考设计及量产技术支持，助力客户项目快速落地、稳定批量。
五、订货信息
产品型号：LS16N65
封装形式：TO-220F
核心规格：650V/16A N 沟道 MOSFET
